전지 감시기와 DS1330YP-70 메모리 ics 비휘발성-램 256k 비휘발성 정적 기억 소자

                                                                  DS1330YP-70 데이터 시트

제품 상세정보

기술

DS1330 256k NV SRAM은 262,144개 비트, 완전히 정전기, 8비트까지 32,768마리의 말로 구성된 NV SRAM입니다. 각각 NV SRAM은 끊임없이 자동 허용 범위 초과 조건에 대해 VCC를 모니터하는 자급 자족할 수 있는 리튬 에너지 원과 제어 회로를 가지고 있습니다. 조건이 발생한다는 것을 그와 같을 때, 리튬 에너지 원은 자동적으로 켜지고, 보호가 데이터 손상을 막을 수 무조건적으로 있게 한다고 씁니다. 덧붙여, DS1330 장치는 VCC의 상태와 내부 리튬 배터리의 상태를 모니터링하기 위한 회로를 제공했습니다. 파워캡 모듈 패키지에서 DS1330 장치는 직접적으로 표면인 탑재 가능하고, 완전한 NV SRAM 모듈을 형성하기 위해 정상적으로 DS9034PC 파워캡과 쌍을 이룹니다. 장치는 32k Ｘ 8 SRAM 또는 EEPROM 또는 순간 요소대신에 사용될 수 있습니다.

특징

외부 전원이 없을 경우 10년 최소 데이터 보유
데이터는 자동적으로 전력 손실 동안 보호받습니다
전력 공급기 모니터는 VCC 전력 손실이 발생하고, VCC 램프-업 동안 리셋에서 프로세서를 가질 때 프로세서를 재설정합니다
매일 전지 감시기 점검 잔류 용량
70 나노 초 엑세스 시간을 읽고 작성하세요
제한 없는 기입 사이클 내구성
전형적 대기 전류 50μA
32k Ｘ 8 SRAM, EEPROM에 대해 업그레이드하거나 번쩍거리세요
리튬 배터리는 전력이 처음으로 적용될 때까지 신선미를 보유하기 위해 전기적으로 끊어집니다
가득 찬 10% VCC 동작 범위 (DS1330Y) 또는 선택적 5% VCC 동작 범위 (DS1330AB)
-40' Ｃ에서 +85' Ｃ의 선택적 산업용 온드범위가 IND로 지정했습니다
파워캡 모듈 (PCM) 패키지
- 직접적으로 표면 장착 가능한 모듈
- 치환성 스냅 방식 파워캡은 리튬 백업 배터리를 제공합니다
- 모든 불휘발성 (NV) SRAM 제품을 위한 표준화된 핀 배치
- 파워캡의 분리 특징은 정규적 나사체결기를 사용하여 용이한 제거를 허락합니다

상술

기술

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