K9F2G08U0B-PCB0 256M x 8비트 NAND 플래시 메모리 IC

                                                                            K9F2G08U0B-PCB0 데이터시트

일반적인 설명

256Mx8비트로 제공되는 K9F2G08X0B는 여분의 64M비트가 있는 2G비트 NAND 플래시 메모리입니다.NAND 셀은 솔리드 스테이트 애플리케이션 시장에 가장 비용 효율적인 솔루션을 제공합니다.프로그램 작업은 (2K+64)Byte 페이지에서 일반적으로 200µs에서 수행될 수 있으며 지우기 작업은 (128K+4K)Byte 블록에서 일반적으로 1.5ms에서 수행될 수 있습니다.데이터 레지스터의 데이터는 바이트당 25ns 주기 시간으로 읽을 수 있습니다.I/O 핀은 주소 및 데이터 입/출력 및 명령 입력을 위한 포트 역할을 합니다.온칩 쓰기 컨트롤러는 필요한 경우 펄스 반복, 데이터의 내부 검증 및 마지닝을 포함한 모든 프로그램 및 삭제 기능을 자동화합니다.쓰기 집약적인 시스템에서도 ECC(Error Correcting Code)에 실시간 매핑 아웃 알고리즘을 제공함으로써 K9F2G08X0B의 100K 프로그램/삭제 주기의 확장된 안정성을 활용할 수 있습니다.K9F2G08X0B는 솔리드 스테이트 파일 스토리지 및 비휘발성이 필요한 기타 휴대용 애플리케이션과 같은 대규모 비휘발성 스토리지 애플리케이션을 위한 최적의 솔루션입니다.

특징

• 전압 공급
- 2.7V 디바이스(K9F2G08B0B): 2.50V ~ 2.90V
- 3.3V 디바이스(K9F2G08U0B): 2.70V ~ 3.60V
• 조직
- 메모리 셀 어레이 : (256M + 8M) x 8bit
- 데이터 레지스터 : (2K + 64) x 8bit
• 자동 프로그램 및 삭제
- 페이지 프로그램 : (2K + 64)Byte
- 블록 삭제 : (128K + 4K)Byte
• 페이지 읽기 작업
- 페이지 크기 : (2K + 64)Byte
- 랜덤 읽기 : 25µs(Max.)
- 시리얼 접속 : 25ns(분)
• 빠른 쓰기 주기 시간
- 페이지 프로그램 시간 : 200µs(Typ.)
- 블록 삭제 시간 : 1.5ms(Typ.)
• 명령/주소/데이터 다중화 I/O 포트
• 하드웨어 데이터 보호
- 전원 전환 중 프로그램/지우기 잠금
• 신뢰할 수 있는 CMOS 플로팅 게이트 기술
-내구성: 100K 프로그램/삭제 주기(1bit/512Byte 포함)
ECC)
- 데이터 보존 : 10년
• 명령 기반 작업
• 저작권 보호를 위한 고유 ID
• 패키지 :
- K9F2G08X0B-PCB0/PIB0 : 무연 패키지
48 - 핀 TSOP I(12 x 20/0.5mm 피치)

우리는 누구입니까?

반도체 및 전자 부품 판매 및 서비스 분야에서 10년 이상 고객을 대상으로 하는 전문 전자 마케팅 기업으로, 신규 및 미사용, 원래 공장 밀봉 포장 전자 부품 판매를 전문으로 합니다.IC, 다이오드, 트랜지스터, IGBT, DC-DC 변환기를 전문으로 합니다.*** 자체 판매 서비스 개념을 설정했으며 이미 많은 유명 제조업체와 강력한 파트너십을 구축했으며 5,000,000가지 이상의 전자 부품을 보유하고 있습니다. 당신의 선택을 위해, 항상 당신의 서비스에!

자주하는 질문
Q: 당신은 무역 회사입니까 아니면 제조업체입니까?
A: 우리는 본래 제조자입니다집적 회로 칩.우리는 OEM/ODM 사업을 할 수 있습니다.
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